PN junction depletion layer or carrier concentration layer Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof Multistep manufacturing processes therefor H01L29/00- Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g.H01L- SEMICONDUCTOR DEVICES ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR.Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.) Filing date Publication date Priority to GB5657469 priority Critical Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv Publication of NL7016629A publication Critical patent/NL7016629A/xx Publication of NL163059B publication Critical patent/NL163059B/nl Application granted granted Critical Publication of NL163059C publication Critical patent/NL163059C/nl Links ( nl Original Assignee Philips Nv Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion.

Info Publication number NL163059C NL163059C NL7016629.A NL7016629A NL163059C NL 163059 C NL163059 C NL 163059C NL 7016629 A NL7016629 A NL 7016629A NL 163059 C NL163059 C NL 163059C Authority NL Netherlands Prior art keywords semi conductor bombating ion manufacturing Prior art date Application number NL7016629.A Other languages English ( en) Google Patents Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrich- ting, waarbij een op een oppervlak van een halfgeleider- lichaam aangebrachte laag materiaal met ionen wordt ge- bombardeerd. Google Patents NL163059C - Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrich- ting, waarbij een op een oppervlak van een halfgeleider- lichaam aangebrachte laag materiaal met ionen wordt ge- bombardeerd. NL163059C - Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrich- ting, waarbij een op een oppervlak van een halfgeleider- lichaam aangebrachte laag materiaal met ionen wordt ge- bombardeerd.

Indirection nl